Предназначены для конструирования элементов радиоэлектроники, магниточувствительных датчиков, бесконтактных коммутирующих устройств.

Технические характеристики:
* магнитоэлектрический коэффициент в области низких частот - 210 мВ/(см Э) в области резонанса - 150 В/(см Э).
Слоистые композиты:
* магнитоэлектрический коэффициент в области низких частот - 1В/(см Э), в области резонанса - 120 В/(см Э). Максимальная напряженность электрического поля, генерируемого образцами при пульсирующем поле, достигает 30 кВ/м.