Полученная керамика на основе нитрида алюминия может быть использована в качестве подложек и корпусов гибридных интегральных микросхем и других устройств электронной техники, а также в качестве мишеней для формирования тонких пленок и создания тонкопленочных структур,применяемых в оптоэлектронике. Способ получения исключает необходимость использования связующих и добавок, активирующих процесс спекания. Способ
защищен патентами России и Республики Беларусь. Материал имеет торговый знак «Алнит».

Технические характеристики:
– плотность 99..100 % от теоретической плотности;
– теплопроводность 135..185 Вт/(м·К);
– электросопротивление 10(11) .. 10 (13) Ом·см;
– микротвердость 16,5..18 ГПа;
– шероховатость: не более 0,6 мкм;
– диэлектрические потери, tgδ: 0,0005–0,01;
– диэлектрическая проницаемость, ε–8,5–12;
– диаметр образцов 10..26 мм;
– толщина 0,5..5 мм.